Veilur á SiO2/SiC yfirborði n-íbættra 4H-SiC MOS þétta skoðaðar með ljósmælingum

Abstract

Í þessari ritgerð voru tveir mismunandi n-íbættir 4H-SiC MOS þéttar skoðaðir, SiO2 lag beggja var myndað með þurroxunarferli en annar þeirra var að auki bakaður í NO til að hlutleysa veilur við SiO2/SiC yfirborðið. Ljósi með mismunandi bylgjulengdum var skínt á yfirborðið til að losa rafeindir þaðan úr veilum og koma þeim í leiðniborða SiC. Þrátt fyrir að ljósið hafi verið með bylgjulengd sem samsvarar orku minni en orkugeil SiC (3.26 eV) losaðist töluvert magn rafeinda en almennt losnaði um tvöfalt magn rafeinda í þurroxíð sýninu m.v. NO sýnið.